SAYFH836MCA0F00R05是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够在高频工作条件下保持高效和稳定。
型号:SAYFH836MCA0F00R05
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):650V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):45mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
总功耗(Ptot):175W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
SAYFH836MCA0F00R05采用了超结技术,能够有效降低导通电阻并提高功率密度。
它具有快速开关特性,可减少开关损耗,并在高频应用中表现优越。
其坚固的设计确保了在恶劣环境下的可靠运行,同时具备出色的雪崩能力和还提供了卓越的热性能,有助于简化散热设计并提升系统效率。
封装形式为TO-247,便于安装和使用。
SAYFH836MCA0F00R05适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 逆变器
- 电机驱动
- 工业控制
- 太阳能微逆变器
- 电动工具
凭借其高耐压和大电流能力,该芯片非常适合需要高效率和高可靠性的场景。
SAYFH836MCB0F00R05
SAYFH836MCA1F00R05
IRFP460
FDP5500
STP12NM65