STM32L451CCU6采用高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。 STM32L451CCU6嵌入了高速存储器(高达512 KB的闪存,160 KB的SRAM)、Quad SPI闪存接口(可用于所有封装)以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。
STM32L451CCU6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。STM32L451CCU6提供一个快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、一个运算放大器、一个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个专用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。
此外,最多可提供21个电容感测通道。STM32L451CCU6还具有标准和高级通信接口,即四个I2C、三个SPI、三个USART、一个UART和一个低功耗UART、一个SAI、一个SDMMC和一个CAN。STM32L451CCU6在-40至+85°C(+105°C结)和-40至+125°C的温度范围内工作,电源电压为1.71至3.6 V。一套全面的节能模式使低功耗应用的设计成为可能。 STM32L451CCU6支持一些独立电源:ADC、DAC、OPAMP和比较器的模拟独立电源输入。VBAT输入可以备份RTC和备份寄存器。
FlexPowerControl超低功耗
—1.71 V ~ 3.6 V电源
- -40°C至85/125°C温度范围
—VBAT模式下的145na: RTC和32x32位备份寄存器
- 22 nA关机模式(5个唤醒引脚)
- 106na待机模式(5个唤醒引脚)
—375na带RTC待机模式
- 2.05 μ A停止2模式,2.40 μ A与RTC
- 84 μ A/MHz运行模式
-批量采集模式(BAM)
-从停止模式唤醒4μs
—Brown out reset (BOR)
-互连矩阵
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU与FPU,
自适应实时加速器(ART
加速器)允许0等待状态执行
从闪存,频率高达80兆赫,
MPU, 100DMIPS和DSP指令
性能基准
- 1.25 DMIPS/MHz (Drystone 2.1)
- 273.55 CoreMark(3.42 CoreMark/MHz @80 MHz)
能源基准
- 335 ULPMarkCP评分
- 104 ULPMarkPP评分
时钟源
- 4至48 MHz晶体振荡器
- 32 kHz晶体振荡器用于RTC (LSE)
-内部16mhz工厂修剪RC(±1%)
-内部低功率32 kHz RC(±5%)
-内部多速100 kHz至48 MHz
振荡器,LSE自动调整(优于±0.25%精度)
-内部48兆赫时钟恢复
- 2个锁相环用于系统时钟,音频,ADC
商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
封装 | 48-UFQFPN(7x7) | 核心处理器 | ARM Cortex-M4 |
内核规格 | 32-位 | 速度 | 80MHz |
连接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LINbus,QSPI,SAI,SPI,UART/USART | 外设 | 欠压检测/复位,DMA,PWM,WDT |
I/O数 | 38 | 程序存储容量 | 256KB(256K x 8) |
程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
RAM大小 | 160K x 8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
数据转换器 | A/D 10x12b; D/A 1x12b | 振荡器类型 | 内部 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
基本产品编号 | STM32L451 | HTSUS | 8542.31.0001 |
产品应用 | 超低功耗MCU |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) | ECCN | 3A991A2 |
RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32L451CCU6原理图
STM32L451CCU6引脚图
STM32L451CCU6封装
STM32L451CCU6丝印
STM32L451CCU6料号解释