BUK553-100B 时间：2025/6/27 11:22:41 阅读：9

BUK553-100B 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件采用 TO-220 封装，适用于多种开关和功率转换应用。其高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度使其在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中广泛使用。
　　BUK553-100B 的设计目标是提供卓越的电气性能和可靠性，同时支持高效率和紧凑设计的系统需求。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：3.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（典型值，@ Vgs=10V）
　　栅极电荷：9nC（典型值）
　　输入电容：470pF
　　开关时间：ton=15ns，toff=30ns
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

BUK553-100B 具有以下关键特性：
　　1. 高电压承受能力，适合高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻，减少传导损耗并提高整体效率。
　　3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗。
　　4. 热稳定性强，在宽温度范围内表现可靠。
　　5. 采用标准 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　这些特性使得 BUK553-100B 成为众多功率转换电路的理想选择，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。

应用

BUK553-100B 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）中的同步整流器。
　　3. 各类电机驱动电路，如步进电机和无刷直流电机驱动。
　　4. 工业自动化设备中的负载开关。
　　5. 汽车电子系统，包括电池管理系统和辅助电源模块。
　　6. 消费类电子产品中的保护电路和功率管理单元。
　　其高性能和可靠性确保了在不同应用环境中稳定运行。