IXFN32N100 时间：2025/8/5 17:44:35 阅读：33

IXFN32N100是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET具有优异的导通性能和开关特性，能够支持高达1000V的漏源电压（VDS）和持续漏极电流32A。IXFN32N100广泛应用于电源转换器、电机驱动、工业自动化以及需要高效能功率开关的系统中。

参数

漏源电压(VDS)：1000V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　持续漏极电流(ID)：32A
　　最大功率耗散(PD)：200W
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.18Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFN32N100具备多项高性能特性。首先，其高耐压能力（1000V VDS）使其适用于高电压输入环境，如高压电源和工业设备。其次，低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件支持高电流处理能力（32A ID），适用于高功率负载的应用。其高功率耗散能力（200W）确保了在恶劣环境下仍能保持稳定运行。TO-247封装设计提供了良好的散热性能，同时便于安装和集成到PCB电路中。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。栅极驱动电压范围宽（±20V），增强了与不同驱动电路的兼容性。此外，器件具有良好的热稳定性和短路耐受能力，进一步提升了系统的可靠性。

应用

IXFN32N100适用于多种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器、UPS系统、焊接设备以及工业自动化设备。由于其高电压和高电流能力，该器件也常用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及其他新能源应用中。在这些应用中，IXFN32N100能够提供高效、可靠的功率控制解决方案，满足对高效率和长寿命的需求。