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STF11NM60ND 发布时间 时间:2025/7/23 9:59:42 查看 阅读:14

STF11NM60ND 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高功率N沟道MOSFET晶体管,主要用于高电压、高电流的开关应用。这款MOSFET采用先进的技术,具备高击穿电压、低导通电阻以及优异的热稳定性,适用于电源转换、电机控制、工业自动化和消费电子产品等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):11A
  最大漏源电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):0.55Ω(典型值)
  栅极电压范围:±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220、D2PAK

特性

STF11NM60ND 采用先进的沟槽栅技术,提供了较低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了能效。该器件的漏源电压最大可达600V,适合高压开关应用。
  此外,STF11NM60ND 具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,能够在高负载条件下可靠运行。其封装形式(如TO-220和D2PAK)提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。
  该MOSFET的栅极驱动要求较低,兼容标准逻辑电平,简化了驱动电路设计。同时,其高耐压能力和低开关损耗使其在高频开关应用中表现出色。

应用

STF11NM60ND 适用于多种高电压和高功率应用,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、照明镇流器、家用电器和工业控制系统。由于其优异的电气特性和可靠性,该器件也常用于需要高效能和高稳定性的场合,如UPS(不间断电源)、电焊机和感应加热设备。

替代型号

STF11NM60N, STP11NM60ND, STW11NM60ND

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STF11NM60ND参数

  • 其它有关文件STF11NM60ND View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 50V
  • 功率 - 最大25W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-11884-5STF11NM60ND-ND