时间：2025/7/23 9:59:42
阅读：13
STF11NM60ND 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高功率N沟道MOSFET晶体管，主要用于高电压、高电流的开关应用。这款MOSFET采用先进的技术，具备高击穿电压、低导通电阻以及优异的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、工业自动化和消费电子产品等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：11A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（典型值）
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220、D2PAK
STF11NM60ND 采用先进的沟槽栅技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。该器件的漏源电压最大可达600V，适合高压开关应用。
此外，STF11NM60ND 具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高负载条件下可靠运行。其封装形式（如TO-220和D2PAK）提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路设计。同时，其高耐压能力和低开关损耗使其在高频开关应用中表现出色。
STF11NM60ND 适用于多种高电压和高功率应用，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、照明镇流器、家用电器和工业控制系统。由于其优异的电气特性和可靠性，该器件也常用于需要高效能和高稳定性的场合，如UPS（不间断电源）、电焊机和感应加热设备。
STF11NM60N, STP11NM60ND, STW11NM60ND
