型号：K9F4G08UOF-SCBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：4Gb (512MB)
　　组织结构：32,768 块 × 64 页/块 × 2112 字节/页 (主区2048 + 备用区64)
　　数据总线宽度：8位
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V (典型值3.3V)
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP1-48
　　接口类型：标准NAND接口
　　时序特性：支持CLE、ALE、CE、RE、WE、R/B等控制信号
　　编程时间：平均约200μs/页
　　擦除时间：平均约1.5ms/块
　　读取延迟：约25μs
　　I/O逻辑电平：CMOS兼容

K9F4G08UOF-SCBO具备高效的存储架构和稳定的电气性能，采用浮栅技术实现非易失性数据存储，能够在断电后长时间保留信息。其内部存储阵列被划分为多个可独立擦除的块，每个块包含64个页，每页可存储2048字节的数据区域和64字节的备用区域，这种设计便于实现磨损均衡和坏块管理，延长了器件的整体使用寿命。
　　该芯片支持串行地址输入方式，通过地址锁存使能（ALE）和命令锁存使能（CLE）信号分时复用I/O引脚传输地址与指令，有效减少了引脚数量，提升了集成度。内置的片选（CE）和就绪/忙（R/B）信号允许系统实时监控操作状态，提高了多芯片系统的协调能力。
　　在可靠性方面，K9F4G08UOF-SCBO支持ECC纠错功能，推荐在控制器端配合使用硬件或软件ECC算法以检测和纠正单比特错误，预防数据损坏。同时，其具有良好的耐久性，标称可承受至少10万次的编程/擦除周期，在正常使用条件下具备较长的生命周期。
　　该器件还集成了多种低功耗模式，包括待机和深度掉电模式，有助于降低整体系统能耗，特别适合电池供电的应用场景。此外，其TSOP1-48封装具有良好的焊接可靠性和热稳定性，适用于自动化贴片生产工艺。整个芯片设计遵循绿色环保理念，不含铅和卤素，符合现代电子产品的环保要求。

K9F4G08UOF-SCBO广泛用于各类需要中等容量非易失性存储的嵌入式系统和消费类电子产品中。典型应用场景包括数码相机中的图像存储模块，用于保存拍摄的照片和视频文件；在MP3、MP4播放器中作为本地媒体存储单元，存放音频和视频内容。
　　该芯片也常用于工业级数据记录仪、POS终端、条码扫描器等设备中，承担程序存储或运行日志缓存的功能。由于其具备较高的物理稳定性和抗干扰能力，也被应用于车载信息系统、医疗监测设备等对可靠性要求较高的领域。
　　在固态存储扩展方面，K9F4G08UOF-SCBO可用于构建低成本的小容量SSD或USB闪存盘主控方案，配合专用NAND控制器实现基本的块设备访问。此外，在一些老式智能手机或功能手机中，也曾作为辅助存储芯片使用。
　　得益于其标准接口和成熟生态，许多基于ARM、MIPS或专有MCU的嵌入式平台将其作为外部存储扩展方案，用于加载操作系统镜像、配置参数或用户数据。整体而言，该芯片适用于那些对体积、功耗和成本敏感，同时又需要可靠持久化存储的中低端电子设备。

K9F4G08U0F-SCB0
　　MT29F4G08ABAEA-LP:B
　　TC58NVG0S3ETA00