时间：2025/6/29 7:14:47
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TFC-110-01-F-D-A-K-TR 是一种高频薄膜电容器，适用于射频和微波应用领域。该电容器采用陶瓷介质材料制成，具有低等效串联电阻（ESR）和低损耗因数的特点。其封装形式为表面贴装器件（SMD），适合自动化生产线装配。此型号的电容器广泛应用于滤波、匹配网络、谐振电路以及射频信号处理等领域。
该系列产品的设计使其能够在高频环境下保持稳定的电气性能，同时具备良好的温度特性和机械稳定性。
额定电压：1kV
电容范围：1pF 至 22pF
公差：±5%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装类型：SMD
尺寸：11.6mm x 4.8mm
介质材料：C0G (NP0)
频率范围：DC 至 3GHz
ESR：≤ 0.01Ω
1. 使用 C0G (NP0) 介质材料，确保在宽温度范围内具有极高的稳定性和低漂移。
2. 具有较高的耐压能力，适用于高电压环境下的射频电路。
3. 超低 ESR 和损耗因数使得该电容器非常适合高频和射频应用。
4. 小型化设计节省了 PCB 空间，同时提高了装配效率。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
TFC-110-01-F-D-A-K-TR 主要应用于以下领域：
1. 射频通信设备中的滤波和匹配网络。
2. 高频信号处理电路中的耦合与解耦。
3. 微波模块和雷达系统中的谐振电路。
4. 医疗成像设备中的高频信号传输。
5. 工业自动化控制中的高频信号调理。
6. 卫星通信及无线基站中的信号调节组件。
TFC-110-01-F-D-B-K-TR
TFC-110-01-F-D-C-K-TR
TFC-110-01-F-D-E-K-TR
