AP40P03GH是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET,适用于多种电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,能够在高效率和小尺寸封装要求下工作。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):85mΩ @ Vgs = 10V
封装类型:DFN2020-6
工作温度范围:-55°C 至 150°C
AP40P03GH采用先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻(Rds(on))和较高的电流承载能力,使其在高效率电源转换应用中表现出色。其封装形式DFN2020-6非常小巧,适合在空间受限的设计中使用。此外,该器件具有良好的热性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。
AP40P03GH的栅极驱动电压范围较宽,支持在多种电源管理应用中使用,同时具备较低的开关损耗,适合高频操作环境。其P沟道结构在关断状态下具有较高的阻断能力,能够有效防止反向电流流动。
该MOSFET还具有较高的抗静电能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。其内部结构设计优化了寄生电容,降低了高频工作时的损耗,提高了整体效率。同时,该器件符合RoHS环保标准,适合用于环保型电子产品设计。
AP40P03GH广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及便携式电子设备等领域。其低导通电阻和小封装特性使其成为移动设备、智能穿戴设备和无线通信设备的理想选择。
Si4435DY, BSS84P, DMG9401T