STE26N90 时间：2025/7/23 6:50:30 阅读：4

STE26N90是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压和高功率应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优良的热性能。STE26N90广泛应用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及各种需要高效能功率开关的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　漏极电流（ID）：26A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.24Ω
　　栅极电荷（Qg）：54nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

STE26N90具备多项优异特性，包括高耐压能力和较大的漏极电流承载能力，使其适用于高功率密度设计。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，同时具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用。
　　STE26N90采用了先进的平面条形沟槽（Planar Stripe）技术，提高了器件的稳定性和耐用性。其封装形式（TO-247）便于安装和散热管理，适用于多种工业标准电路板设计。此外，该器件还具有较强的抗短路能力，有助于提升系统可靠性。