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NCTSTM16-04G 发布时间 时间:2025/8/19 16:06:04 查看 阅读:19

NCTSTM16-04G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双路低电压 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于小型逻辑电平 MOSFET 系列,适用于需要高效开关和低功耗的场合。该器件采用 SOT-23 封装,便于在空间受限的设计中使用。NCTSTM16-04G 的主要特点是其能够在低栅极电压下工作,因此非常适合与数字逻辑电路配合使用,例如微控制器单元(MCU)或逻辑门电路的输出控制。

参数

类型:N沟道MOSFET
  封装:SOT-23
  最大漏源电压(Vds):20V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  最大连续漏极电流(Id):100mA(@Vgs=4.5V)
  导通电阻(Rds(on)):约3Ω(@Vgs=4.5V)
  栅极电荷(Qg):约0.6nC
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  功耗(Pd):300mW

特性

NCTSTM16-04G 具备多项优良特性,首先其低导通电阻(Rds(on))使其在导通状态下能够保持较低的压降,从而减少功率损耗并提高效率。该器件的工作电压范围宽,适合多种低压应用环境。此外,其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,从而提高整体系统的能效。
  该MOSFET支持逻辑电平输入,意味着它可以由标准的5V或更低的逻辑信号直接驱动,无需额外的驱动电路。这种特性使得它非常适合用于数字电路中的开关控制。
  NCTSTM16-04G 采用 SOT-23 封装,具有体积小、重量轻的优点,适用于便携式设备、嵌入式系统和高密度电路设计。其工作温度范围较宽,适用于工业级和汽车级应用,确保在极端环境下的稳定运行。
  此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定性能,适用于需要长时间工作的设备。其低功耗特性也使其在电池供电设备中表现出色,有助于延长电池寿命。

应用

NCTSTM16-04G 主要应用于低电压、低电流的开关控制场合。常见应用包括逻辑电路接口、微控制器I/O扩展、电源管理、LED驱动、继电器控制以及传感器信号切换等。
  在便携式电子产品中,如智能手表、可穿戴设备和移动电源中,NCTSTM16-04G 可用于控制不同功能模块的电源开关,以实现节能和延长电池寿命。在工业自动化系统中,该器件可用于控制小型继电器或电磁阀的驱动电路。
  由于其支持逻辑电平输入,NCTSTM16-04G 也常用于数字隔离电路中,作为信号切换的电子开关。此外,在通信设备中,它可以用于控制射频开关或光模块的电源管理。
  汽车电子方面,该器件可用于车身控制模块(BCM)中的灯光控制、电动窗控制和座椅加热系统等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车电子系统中的理想选择。

替代型号

NDS355AN, 2N7002, BSS138, FDN302P, 2N7000

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