LQ10DH11 时间：2025/8/28 5:24:41 阅读：2

LQ10DH11 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池供电设备等场景。LQ10DH11 采用紧凑型封装，具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该 MOSFET 的设计兼顾了高性能与高可靠性，适合在工业和汽车电子等要求严苛的环境中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：8.5A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 9.5mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：35W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

LQ10DH11 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得它在导通状态下能够显著减少功率损耗，从而提升系统效率。该器件的 VDS 额定电压为 100V，适用于中高压功率转换应用。LQ10DH11 的漏极电流额定值为 8.5A，使其能够承受较高负载的电流需求。
　　此外，LQ10DH11 采用了 ROHM 的先进沟槽式 MOSFET 技术，优化了器件的开关性能，降低了开关损耗。其 TO-252 封装具有良好的热性能，有助于快速散热，提高器件在高功率应用中的稳定性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，使其兼容常见的驱动电路设计。LQ10DH11 还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
　　ROHM 为 LQ10DH11 提供了完整的应用支持，包括热设计指南、驱动电路建议以及封装热阻参数，便于工程师在实际设计中更好地利用该器件的性能优势。

应用

LQ10DH11 主要用于各种电源管理系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件的低导通电阻和高效率特性使其特别适用于高密度电源设计，如服务器电源、电信设备电源以及便携式电子设备中的高效能电源模块。
　　在汽车电子领域，LQ10DH11 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、车载信息娱乐系统（IVI）以及电池管理系统（BMS）等应用场景。其宽广的工作温度范围和高可靠性使其能够适应严苛的车载环境。
　　此外，LQ10DH11 还可用于太阳能逆变器、LED 照明驱动器等绿色能源和节能产品中，以提升整体系统的能效表现。