类型：双极型晶体管阵列（2个PNP晶体管）
　　封装类型：16引脚DIP / SO
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据工作点）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

T4113D 采用双晶体管结构，内部集成两个独立的PNP晶体管，允许在单个芯片上实现复杂的模拟和数字逻辑功能，从而减少电路板上的元器件数量并提高系统可靠性。
　　其高电流增益（hFE）范围（110至800）使得该器件在小信号放大和开关应用中表现出色，适用于低噪声放大器、逻辑电平转换、驱动电路等多种场景。
　　T4113D 的封装形式（DIP或SO）使其易于安装和焊接，适用于通孔（Through-Hole）和表面贴装（SMT）工艺，适合广泛应用于各种电子设备。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和抗环境干扰能力，适合在工业级环境中使用。
　　此外，T4113D 的最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，最大功耗为300mW，这些参数表明其具备一定的功率承受能力，可胜任中等功率的开关和放大任务。

T4113D 主要用于需要双晶体管结构的电路设计，例如：
　　? 工业自动化控制系统中的信号处理和驱动电路
　　? 通信设备中的信号放大和逻辑转换电路
　　? 电源管理模块中的稳压和控制电路
　　? 消费类电子产品中的接口驱动和逻辑控制
　　? 教学实验和原型设计中的通用晶体管阵列
　　其高集成度和稳定性使其在需要简化设计、提高系统可靠性的场合中尤为受欢迎。

T4113, TIP127, BC807, BC557, 2N3906