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DCG20B650LB-TRR 发布时间 时间:2025/8/5 15:20:25 查看 阅读:19

DCG20B650LB-TRR 是一款由 Diodes 公司制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的功率晶体管。这款晶体管设计用于需要高电流和高电压处理能力的功率放大和开关应用。DCG20B650LB-TRR 采用 SC-75A(SOT-416)封装,适合用于空间受限的电路板设计。该晶体管的工作性能稳定,适合用于电源管理、电机控制、照明系统以及工业自动化等领域。

参数

晶体管类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流:200mA
  最大集电极-发射极电压:65V
  最大发射极-基极电压:30V
  最大基极电流:100mA
  功耗:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SC-75A(SOT-416)

特性

DCG20B650LB-TRR 具有出色的电气性能和可靠性,适用于各种高要求的电子设计。其主要特性包括高电压和高电流承载能力,能够支持高达65V的集电极-发射极电压和200mA的集电极电流,使其适用于中等功率的应用。晶体管的低饱和电压(VCE(sat))确保在开关状态下损耗较小,从而提高能效并减少热量产生。
  该晶体管的封装采用 SC-75A(SOT-416)形式,这是一种小型化且广泛使用的表面贴装封装,具有良好的热管理和空间利用率,非常适合紧凑型设计。此外,DCG20B650LB-TRR 的高工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其能够在极端环境条件下稳定运行,适用于工业和汽车电子等苛刻的应用场景。
  DCG20B650LB-TRR 的基极-发射极电压为30V,允许灵活的设计选择和稳定的偏置条件,而其最大基极电流限制为100mA,有助于保护晶体管免受过载损坏。晶体管的总功耗为300mW,表明其能够在有限的散热条件下工作,适用于多种电子设备。
  该晶体管的高可靠性和耐用性使其成为许多需要高性能和长寿命的电子系统中的理想选择。此外,DCG20B650LB-TRR 的制造工艺确保了一致的性能和高质量,使其在批量应用中表现优异。

应用

DCG20B650LB-TRR 广泛应用于多个领域,包括电源管理、马达控制、LED照明、继电器驱动和工业自动化系统。它也常用于消费类电子产品,如音频放大器和电池充电器,以及需要高电压和高电流处理能力的汽车电子系统。由于其优异的性能和小型化封装,DCG20B650LB-TRR 是现代电子设计中的关键组件。

替代型号

BC847B, 2N3904, MMBT3904

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