时间：2025/9/3 16:17:32
阅读：4
MBR60035CTL是一款由ON Semiconductor生产的高电流密度肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），采用先进的Trench肖特基技术制造，具有低正向压降和优异的热性能。该器件封装在D2-PAK（TO-252）表面贴装封装中，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。
最大重复峰值反向电压：35V
最大正向电流：60A
正向压降（@60A）：0.42V（典型值）
最大反向漏电流（@35V，125℃）：100μA
工作温度范围：-55℃～+150℃
存储温度范围：-55℃～+150℃
MBR60035CTL采用了先进的Trench肖特基技术，这使得其在高温环境下仍能保持较低的正向压降和极低的反向漏电流，从而提升了器件的能效和可靠性。
该器件的最大重复峰值反向电压为35V，最大正向电流为60A，适合用于高电流应用，如DC-DC转换器、电源适配器、服务器电源和工业电源系统等。
其正向压降在60A电流下仅为0.42V（典型值），这大大降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。
此外，MBR60035CTL的反向漏电流在35V电压下和125℃高温时最大仅为100μA，这有助于减少在高温工作时的能量损耗，提高器件的稳定性。
该器件的工作温度范围为-55℃至+150℃，存储温度范围也为-55℃至+150℃，具有良好的环境适应性，适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。
MBR60035CTL采用D2-PAK（TO-252）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在自动化生产线中使用，提高生产效率。
MBR60035CTL广泛应用于多种电源管理系统中，特别是在需要高效能、高可靠性和紧凑封装的场合。例如，在DC-DC转换器中，MBR60035CTL的低正向压降特性可显著降低功率损耗，提高转换效率。
该器件也常用于电源适配器和服务器电源系统中，其高电流处理能力和良好的热性能使其能够在高负载条件下稳定工作，满足数据中心和高性能计算设备对电源的高要求。
此外，MBR60035CTL还适用于工业电源系统、电池充电器和汽车电子设备中的电源整流和保护电路。
由于其优异的性能，MBR60035CTL也常用于通信设备的电源模块、光伏逆变器和UPS（不间断电源）系统中，为这些关键应用提供稳定的整流解决方案。
MBR60045CTL, MBRB60H35CTG, MBRB60H45CTG
