TT250N14KOF 时间：2025/8/23 19:26:11 阅读：15

TT250N14KOF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高效率的电力电子设备中。该器件采用先进的技术设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热性能。TT250N14KOF 主要用于 DC-DC 转换器、电源管理系统、电机控制、电池充电器以及工业自动化系统等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：140V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：250A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 1.4mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

TT250N14KOF 具备多项优异的电气和热性能，使其成为高功率应用的理想选择。
　　首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低（最大 1.4mΩ），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。低 Rds(on) 也意味着在大电流工作条件下，器件的温升较低，从而增强了系统的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件的漏极电流额定值高达 250A，能够在高负载条件下稳定运行。这使其适用于需要高电流处理能力的电力电子系统，如电机驱动器、电源转换器等。
　　此外，TT250N14KOF 采用了先进的封装技术（TO-247），具有良好的散热性能和机械稳定性。TO-247 封装不仅有助于提高器件的热传导效率，还能确保在高温环境下长期可靠运行。
　　该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，可以在异常工作条件下提供额外的保护，防止器件损坏。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的栅极驱动电路，简化了设计过程。
　　最后，TT250N14KOF 在极端温度条件下（-55°C 至 +175°C）仍能保持稳定的性能，适用于各种工业和汽车应用环境。

应用

TT250N14KOF 广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其适合需要高效率和高可靠性的场合。
　　在电源管理系统中，该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关电路，能够有效提高转换效率并减少发热。在电机控制系统中，TT250N14KOF 可用于 H 桥驱动器，提供高电流输出和低损耗性能。
　　在电池管理系统中，该器件常用于充放电控制电路，确保电池在安全范围内工作，同时减少能量损耗。此外，TT250N14KOF 还被广泛应用于 UPS（不间断电源）、工业自动化设备、太阳能逆变器和电动车充电系统等场景。
　　由于其优异的电气性能和高可靠性，TT250N14KOF 也被用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电池管理系统等。在这些应用中，该器件能够承受严苛的工作环境，提供稳定可靠的性能。