SI7866ADP-T1 时间：2025/5/23 16:55:34 阅读：18

SI7866ADP-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有低导通电阻 (RDS(on)) 和高效率的特性，非常适合用于高频开关和功率转换应用。它支持 -55°C 至 +175°C 的宽工作温度范围，并采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式，便于安装和散热。
　　该器件广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，为设计人员提供了高性能和高可靠性的解决方案。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：38A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ
　　栅极电荷：49nC
　　输入电容：1780pF
　　总功耗：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

SI7866ADP-T1 提供了非常低的导通电阻，从而显著降低了传导损耗，提升了整体效率。此外，其快速开关性能使得它可以适应高频工作环境，同时减少了电磁干扰问题。
　　由于采用了先进的 TrenchFET 技术，这款 MOSFET 在小型化封装中实现了卓越的热性能，允许在高电流密度条件下稳定运行。
　　此外，该器件具备出色的雪崩能力和短路耐受能力，进一步增强了系统的安全性和可靠性。这些特点使 SI7866ADP-T1 成为多种功率管理应用的理想选择。

应用

SI7866ADP-T1 可应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
　　2. 电机驱动和逆变器电路中的功率级组件。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
　　4. 汽车电子系统中的电池管理与配电模块。
　　5. 便携式电子产品中的高效能量传输及充电解决方案。