时间：2025/7/23 9:40:43
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STD75N3LLH6是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率应用。该器件采用了先进的STripFET? F6技术，具有极低的导通电阻、优异的开关性能和高可靠性。它适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统和各种功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时为2.7mΩ，@Vgs=4.5V时为4.0mΩ
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6 HV
STD75N3LLH6采用先进的STripFET? F6技术，具有极低的导通电阻，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其Rds(on)值在Vgs=10V时仅为2.7mΩ，在Vgs=4.5V时为4.0mΩ，使得该器件在低电压驱动条件下也能表现出色。
此外，该MOSFET具有优异的热性能和高电流承载能力，能够适应高温工作环境并保持稳定运行。器件的封装形式为PowerFLAT 5x6 HV，具有较小的封装尺寸和良好的散热能力，适用于紧凑型设计。
该器件还具备高雪崩耐受能力和优秀的短路保护性能，确保在极端工作条件下仍能保持稳定和安全运行。其栅极设计优化了开关速度，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，STD75N3LLH6符合RoHS标准，具有绿色环保的特性，适用于各类工业和消费类电子产品。
该MOSFET广泛应用于电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池充电器等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源设计的理想选择。在电机控制和驱动电路中，该器件能够提供稳定的开关性能，提高系统的响应速度和效率。
此外，STD75N3LLH6也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS），其高可靠性和优异的热性能能够满足汽车应用中严苛的工作条件。在工业自动化和伺服控制系统中，该器件可用于高精度控制和高效能功率输出。
由于其优异的开关特性和热稳定性，该MOSFET也常用于高频率逆变器、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统。
IPD75N3LH6-12, FDP75N3LLH6
