时间：2025/9/1 18:50:26
阅读：21
HRU95NRI是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能、低功耗MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和高效率电源系统中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有优异的导通电阻（Rds(on)）特性和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：95A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为5.5mΩ（典型值可能为4.8mΩ）
封装类型：双排表面贴装（如TO-252或TO-263）
工作温度范围：-55°C至175°C
HRU95NRI采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件的高电流承载能力和低Rds(on)特性使其在高功率密度应用中表现出色。此外，HRU95NRI具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于苛刻的工业和汽车电子应用。
该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。其高可靠性设计符合AEC-Q101标准，适合汽车电子系统的严格要求。同时，器件的封装设计有助于提高散热性能，延长使用寿命。
HRU95NRI还具备良好的短路耐受能力，增强了器件在突发故障情况下的稳定性与安全性。这使得它在电源管理和负载开关应用中具备更高的系统可靠性。
HRU95NRI常用于各种高性能电源管理系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于高效率和高功率密度的设计需求。此外，该器件也广泛应用于服务器电源、电信设备、工业自动化系统以及新能源汽车的电源管理系统中。
IPB95N10NFDATMA1, STD95N10F7, IRFP4468PBF
