时间：2025/9/1 16:13:15
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HY5117400AT-60 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于EDO DRAM类型。这款芯片具有16MB的存储容量，采用5V电源供电，支持高速访问。其设计适用于需要较高内存性能的计算机和嵌入式系统应用。HY5117400AT-60采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，便于在紧凑的电路板上使用。
容量：16MB
组织结构：1M x 16
电压：5V
访问时间：60ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行
存储类型：EDO DRAM
HY5117400AT-60 是一种早期的EDO DRAM芯片，具备较快的数据访问速度，相较于传统的FPM DRAM，EDO DRAM可以在数据读取周期中提前释放地址总线，从而提高了内存访问效率。该芯片的60ns访问时间使其适用于对性能有一定要求的嵌入式系统和旧款计算机系统。
该芯片的1M x 16组织结构意味着其内部由1024K地址组成，每个地址存储16位数据，总共提供16MB的存储空间。采用54引脚TSOP封装，有助于减小PCB板上的空间占用，并提供良好的电气性能。
由于其5V电源设计，HY5117400AT-60在功耗和稳定性之间取得了平衡，适用于多种工业级应用场景。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其能够在较为恶劣的环境中运行。
HY5117400AT-60 常用于需要16MB EDO DRAM存储器的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及早期个人计算机或工作站中。由于其高速访问特性和工业级工作温度范围，该芯片也适合用于需要稳定内存性能的自动化控制系统、数据采集设备以及网络通信设备。
此外，该芯片也可用于老式游戏机、图形终端设备以及需要大容量内存缓存的视频处理系统。由于其TSOP封装形式，适用于空间受限的便携式电子设备，如早期的笔记本电脑、PDA（个人数字助理）等。
IS42S16100-60BLI, KM416S1610CT-6
