类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：9A
　　最大功耗(Pd)：125W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　极数：3（漏极、栅极、源极）

FMA09N60E具备多项优异的电气特性，确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。首先，其最大漏源电压为600V，适用于中高功率转换器设计，可承受较高的电压应力。其次，最大连续漏极电流为9A，使得该MOSFET适用于需要较高电流输出的场合。此外，该器件的导通电阻Rds(on)典型值为0.85Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　在热性能方面，FMA09N60E的最大功耗为125W，采用TO-220封装形式，具备良好的散热能力，适合在高功率密度环境下运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应广泛的工业环境条件。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，允许在多种控制电路中使用，且具备良好的抗干扰能力。同时，FMA09N60E的快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗并提高系统效率。这些特性共同确保了FMA09N60E在各类功率电子设备中的广泛应用和高性能表现。

FMA09N60E广泛应用于多个高功率电子系统中，作为高效的功率开关器件。其主要应用领域包括电源管理系统，如AC-DC和DC-DC转换器，用于电信设备、服务器和工业电源。此外，该MOSFET还适用于电机驱动器和控制电路，提供高效率的电力传输和精确的电机控制。
　　在照明系统中，FMA09N60E可用于LED驱动电源和电子镇流器，实现高效能的照明控制。由于其具备较高的电压和电流承受能力，该器件也常见于家用电器如微波炉、洗衣机和空调的功率控制模块中。
　　除此之外，FMA09N60E还适用于太阳能逆变器、电动车充电器以及其他需要高可靠性功率开关的工业设备。其在高频率和高电压条件下的稳定性能，使其成为工程师在多种电源设计中的首选MOSFET之一。

FQA09N60C、IRFPC50、FDP09N60、FDPF09N60、SPW20N60C3