时间：2025/9/14 10:51:50
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PBHV9515QAZ是一款高性能的高压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高功率应用设计。这款MOSFET采用先进的硅技术，提供了出色的导通性能和热稳定性，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。其封装形式为表面贴装（SMD），便于在现代高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：900V
最大漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：40nC（典型）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
最大功耗：125W
PBHV9515QAZ具有多个关键特性，使其在高压应用中表现出色。首先，其高耐压能力（900V VDS）使其适用于高电压电源转换系统。其次，低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，适合在高温环境下运行。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
在可靠性方面，PBHV9515QAZ设计有内置的过热保护和过流保护功能，能够在极端条件下保持稳定运行。该器件的封装设计有助于优化散热性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温。此外，其表面贴装封装形式支持自动化装配，提高了生产效率和焊接可靠性。
PBHV9515QAZ广泛应用于多个高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、工业控制设备和照明系统。在开关电源中，该器件用于高效能的功率开关，支持高频率操作和低损耗。在电机控制应用中，其高耐压和高电流能力使其适用于驱动大功率直流电机和步进电机。此外，该MOSFET也可用于不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器和电动车充电系统等新兴应用领域。
STF9N90M5, FQP9N90C, IRF840, PBHV9530Q
