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STD3NK100Z 发布时间 时间:2025/4/28 17:13:24 查看 阅读:6

STD3NK100Z 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TO-220AC 封装形式,适用于高电压、大电流的开关应用场合。其最大耐压为 1000V,这使得它非常适合在高压电路中作为开关或放大元件使用。
  STD3NK100Z 的主要特点是具备较低的导通电阻和较高的开关速度,同时具有出色的雪崩能力,能够在极端条件下提供可靠的性能表现。

参数

最大漏源电压:1000V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:3A
  脉冲漏极电流:9A
  导通电阻:450Ω
  栅极电荷:65nC
  开关时间:ton=87ns, toff=80ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

STD3NK100Z 是专为高压应用设计的功率 MOSFET,具有以下特性:
  1. 高耐压能力:能够承受高达 1000V 的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 较低的导通电阻:450Ω 的导通电阻有助于降低功率损耗并提高效率。
  3. 高速开关性能:其开关时间为纳秒级别,可实现快速切换以适应高频应用。
  4. 出色的雪崩能力:即使在过载或短路情况下也能提供保护功能。
  5. 紧凑封装:TO-220AC 封装便于安装且散热性能良好。
  6. 宽泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的结温区间,满足各种恶劣环境的需求。

应用

STD3NK100Z 广泛应用于需要高电压开关的场景中,例如:
  1. 开关电源 (SMPS):用于高效转换高压直流电能。
  2. 电机控制:驱动各类工业电机,尤其是高压电机。
  3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他电力转换系统中发挥关键作用。
  4. PFC(功率因数校正)电路:提升整体系统的效率与稳定性。
  5. 继电器替代:在需要高压切换的应用中用作固态继电器。
  6. 工业自动化设备:如机器人控制、焊接设备等高压操作领域。

替代型号

STG3NK100Z, IRFP260N

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STD3NK100Z参数

  • 其它有关文件STD3NK100Z View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 1.25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds601pF @ 25V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-7967-6