STD3NK100Z 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TO-220AC 封装形式,适用于高电压、大电流的开关应用场合。其最大耐压为 1000V,这使得它非常适合在高压电路中作为开关或放大元件使用。
STD3NK100Z 的主要特点是具备较低的导通电阻和较高的开关速度,同时具有出色的雪崩能力,能够在极端条件下提供可靠的性能表现。
最大漏源电压:1000V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:3A
脉冲漏极电流:9A
导通电阻:450Ω
栅极电荷:65nC
开关时间:ton=87ns, toff=80ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
STD3NK100Z 是专为高压应用设计的功率 MOSFET,具有以下特性:
1. 高耐压能力:能够承受高达 1000V 的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
2. 较低的导通电阻:450Ω 的导通电阻有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 高速开关性能:其开关时间为纳秒级别,可实现快速切换以适应高频应用。
4. 出色的雪崩能力:即使在过载或短路情况下也能提供保护功能。
5. 紧凑封装:TO-220AC 封装便于安装且散热性能良好。
6. 宽泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的结温区间,满足各种恶劣环境的需求。
STD3NK100Z 广泛应用于需要高电压开关的场景中,例如:
1. 开关电源 (SMPS):用于高效转换高压直流电能。
2. 电机控制:驱动各类工业电机,尤其是高压电机。
3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他电力转换系统中发挥关键作用。
4. PFC(功率因数校正)电路:提升整体系统的效率与稳定性。
5. 继电器替代:在需要高压切换的应用中用作固态继电器。
6. 工业自动化设备:如机器人控制、焊接设备等高压操作领域。
STG3NK100Z, IRFP260N