IRFS31N20D 时间：2025/7/8 15:32:43 阅读：11

IRFS31N20D 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件主要应用于高电压、大电流的电力电子领域，例如开关电源、电机驱动和逆变器等场景。它具有较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力，能够有效提升系统的效率和可靠性。
　　IRFS31N20D的工作电压高达600V，能够承受较高的漏源电压，同时具备快速开关特性，适合高频应用环境。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：8.9A
　　导通电阻：0.18Ω
　　栅极电荷：15nC
　　总电容（输入电容）：1090pF
　　开关时间：ton=55ns，toff=27ns
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

IRFS31N20D是一款高性能的功率MOSFET，其关键特性如下：
　　1. 高额定电压：600V的漏源极耐压使其适用于高压工业场景。
　　2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为0.18Ω，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关性能：短开关时间和小栅极电荷使得该器件非常适合高频开关应用。
　　4. 良好的热稳定性：能够在宽温度范围内稳定运行，适应恶劣环境。
　　5. 雪崩能力：具备较强的雪崩击穿能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
　　6. TO-247封装：提供优秀的散热性能和机械强度，便于安装和使用。

应用

IRFS31N20D广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场景。
　　2. 电机控制：如伺服电机驱动、无刷直流电机控制器。
　　3. 工业逆变器：太阳能逆变器、UPS不间断电源系统。
　　4. PFC电路：功率因数校正模块中的主开关元件。
　　5. 继电器替代：在需要频繁切换的电路中用作固态继电器。
　　6. 其他高压大电流应用场景：如电动车充电设备、工业自动化设备等。