IRFS31N20D 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件主要应用于高电压、大电流的电力电子领域,例如开关电源、电机驱动和逆变器等场景。它具有较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力,能够有效提升系统的效率和可靠性。
IRFS31N20D的工作电压高达600V,能够承受较高的漏源电压,同时具备快速开关特性,适合高频应用环境。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:15nC
总电容(输入电容):1090pF
开关时间:ton=55ns,toff=27ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
IRFS31N20D是一款高性能的功率MOSFET,其关键特性如下:
1. 高额定电压:600V的漏源极耐压使其适用于高压工业场景。
2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为0.18Ω,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能:短开关时间和小栅极电荷使得该器件非常适合高频开关应用。
4. 良好的热稳定性:能够在宽温度范围内稳定运行,适应恶劣环境。
5. 雪崩能力:具备较强的雪崩击穿能力,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
6. TO-247封装:提供优秀的散热性能和机械强度,便于安装和使用。
IRFS31N20D广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场景。
2. 电机控制:如伺服电机驱动、无刷直流电机控制器。
3. 工业逆变器:太阳能逆变器、UPS不间断电源系统。
4. PFC电路:功率因数校正模块中的主开关元件。
5. 继电器替代:在需要频繁切换的电路中用作固态继电器。
6. 其他高压大电流应用场景:如电动车充电设备、工业自动化设备等。
IRFP31N20P
IRFP31N20D
STP30NF20