型号：TB28F800B5B90
　　制造商：Toshiba
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512 K × 16 bit
　　接口类型：并行（Parallel Asynchronous）
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　读取访问时间：最大 90ns / 120ns（根据具体子型号）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　写使能控制：有（WE# 引脚）
　　输出使能：OE# 引脚支持三态输出
　　片选信号：CE# 引脚用于设备选择
　　复位引脚：RESET# 支持硬件复位功能
　　写保护：支持软件和硬件写保护机制
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除和整片擦除
　　耐久性：典型值为 100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：典型值为 10 年以上
　　兼容标准：符合 JEDEC 初始标准，便于替代其他厂商同类型器件

TB28F800B5B90 具备出色的读取性能与稳定的编程擦除能力，适合在需要频繁读取代码或数据的嵌入式系统中使用。其核心特性之一是支持快速随机访问，读取访问时间最短可达 90ns，使得 CPU 能够直接从闪存中执行程序代码（XIP），无需将代码加载到 RAM 中，从而节省系统内存资源并简化启动流程。该器件采用 16 位宽度的数据总线设计，支持异步读写操作，能够与多种微处理器和控制器实现无缝连接，尤其适用于基于 x86 或专有架构的老式主板和工控板。
　　在可靠性方面，TB28F800B5B90 内置了智能算法来管理编程和擦除过程，确保每个存储单元在多次操作后仍能维持数据完整性。它支持多种擦除粒度，包括按扇区（Sector）、按块（Block）以及整片擦除，用户可根据实际需求灵活选择，提升操作效率并延长器件寿命。此外，该芯片具备强大的抗干扰能力和静电防护设计，在复杂电磁环境中仍能保持稳定工作。
　　为了增强系统的安全性，TB28F800B5B90 提供了多重写保护机制。通过软件命令序列可锁定特定地址区域防止误写；同时，硬件 RESET# 引脚可在上电或异常情况下强制芯片进入安全状态，避免非法操作。其内部还集成了状态寄存器，允许主机查询当前操作状态（如是否正在进行编程或擦除），从而实现更精确的操作控制和错误处理机制。这些特性共同保障了在关键任务系统中的高可用性和数据持久性。

TB28F800B5B90 广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的工业和通信设备中。典型应用场景包括网络路由器、交换机和防火墙等通信基础设施设备，其中用于存储固件（Bootloader、操作系统映像）和配置参数，确保设备在断电后仍能保留关键信息并在重启时快速恢复运行。在工业自动化控制系统中，该芯片常被用作 PLC（可编程逻辑控制器）的程序存储器，存放控制逻辑代码和初始化数据，其快速启动和直接执行能力显著提升了系统响应速度。
　　此外，TB28F800B5B90 也被广泛用于打印机、复印机和多功能办公设备中，用于存储设备驱动程序、字体库和用户界面资源。由于这类设备通常需要频繁读取大量静态数据，且对成本和稳定性有较高要求，因此该 NOR Flash 的高性能与长寿命特性非常契合。
　　在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和远程通信单元中，尤其是在一些对 AEC-Q100 认证要求不严格的辅助系统中仍有部署。医疗设备如监护仪、超声波成像仪等也采用此类器件存储启动代码和校准数据，依赖其在宽温环境下长时间工作的可靠性。随着物联网边缘节点的发展，部分老式网关和采集终端仍在使用 TB28F800B5B90 实现本地固件存储，特别是在无法更换主控平台的升级改造项目中，该芯片因其供货周期长、资料齐全而成为优选方案。

S29GL064N90TF101
　　MX29LV800BBTC-90
　　AM29LV800BB-90JI