时间：2025/6/21 0:42:15
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IRF7910TRPBF是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率控制的场合。其出色的导通电阻和较低的栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：45A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：11nC
总电容：330pF
功耗：215W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
IRF7910TRPBF具有非常低的导通电阻，这使得它能够显著减少传导损耗，提高系统效率。
此外，该器件的栅极电荷较小，有助于实现快速开关，从而降低开关损耗。
其封装形式TO-263具备良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
另外，该器件的工作温度范围宽广，从-55℃到175℃，能够在极端环境下稳定运行。
由于其高性能和可靠性，IRF7910TRPBF非常适合用于工业及汽车领域的各种功率转换应用。
该器件适用于多种领域，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及太阳能逆变器等。同时，也常见于需要大电流输出和高效率的工业自动化设备。
在汽车电子方面，它可以用于电动车辆的牵引逆变器或车载充电器。
由于其耐高温特性，在一些特殊环境下如石油钻探、航空航天等对功率器件要求苛刻的场合也能胜任。
IRF7912TRPBF, IRF7911TRPBF
