类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 2.7mΩ（典型值 2.2mΩ）
　　封装类型：TO-220AC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

IXFA180N10T2TRL 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的最大导通电阻为 2.7mΩ，典型值甚至更低，这使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏极电流高达 180A，漏源电压额定值为 100V，能够承受高电压和大电流的冲击，适用于要求严苛的电力电子系统。其栅源电压范围为 ±20V，确保在各种驱动条件下都能稳定工作。
　　此外，该器件采用 TO-220AC 封装，具有良好的热管理和散热性能，适合在高温环境下运行。工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使其适用于各种工业和汽车电子应用场景。
　　IXFA180N10T2TRL 还具备高雪崩能量承受能力和出色的短路耐受性，确保在极端工作条件下仍能保持稳定性和可靠性。这些特性使其成为高功率 DC-DC 转换器、逆变器、电机控制和工业电源系统中的理想选择。

IXFA180N10T2TRL 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：高效率电源供应器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、工业自动化控制系统、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率管理系统中也具有广泛应用前景。

IRFB4110, IXTK180N10L2, IXFN180N10T2