晶体管类型：NPN型
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：100mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-457
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

D526SYGWA/S530-E2晶体管具有多项优良特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压为50V，能够在中高压环境下稳定工作，同时最大集电极电流为100mA，适用于低至中功率的放大和开关应用。该器件的最大工作频率高达250MHz，因此非常适合用于射频（RF）放大器、高频振荡器以及高速开关电路。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，具体数值取决于等级划分，这为设计人员提供了灵活的选择空间。它采用SOT-457小型封装，节省空间且便于自动化装配，适用于高密度PCB布局。在热性能方面，其最大功耗为100mW，能够在较高温度环境下稳定运行，工作温度范围覆盖-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件。
　　东芝在该器件的制造中采用了高纯度材料和先进的工艺技术，确保了晶体管在长期运行中的可靠性和稳定性。因此，D526SYGWA/S530-E2不仅适用于常规电子设备，也可用于对稳定性要求较高的工业控制、通信模块和便携式电子产品中。

D526SYGWA/S530-E2晶体管广泛应用于多个电子领域。在通信行业，它常用于射频放大器、信号调制电路和无线发射模块。在消费电子领域，该晶体管可用于音频放大器、遥控器、传感器信号调理电路等。此外，它还适用于工业控制系统中的信号切换、低功率驱动电路和高速逻辑接口电路。在汽车电子中，该器件可用于车载娱乐系统、仪表盘控制模块和车载通信设备。该晶体管也常见于各种便携式设备中，如智能穿戴设备、蓝牙耳机、无线键盘等，以满足高频和低功耗的设计需求。

BC847系列, 2N3904, MMBC846