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STC810SEUR-T 发布时间 时间:2025/3/24 9:00:27 查看 阅读:8

STC810SEUR-T 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的MOSFET功率晶体管。该器件属于ST的MDmesh系列,采用了先进的制造工艺,旨在提供高效率和低导通电阻特性。其主要应用领域包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高性能开关的电路中。
  这款MOSFET设计用于在高频工作条件下实现高效的功率转换,并具有出色的热性能和电气性能。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  电压等级(Vdss):800V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):3.4Ω(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷(Qg):26nC
  输入电容(Ciss):3950pF
  反向传输电容(Crss):570pF
  总栅极电荷(Qgd):10nC
  功耗(Ptot):20W

特性

1. 高击穿电压(800V),能够适应多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗并提高整体效率。
  3. 快速开关速度,得益于优化的栅极电荷参数,使其适用于高频应用。
  4. 良好的热稳定性,确保在不同工作条件下的可靠运行。
  5. 具备抗雪崩能力,能够在短路或过载情况下提供额外保护。
  6. 封装形式为TO-220,易于安装且散热性能优异。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动和逆变器控制。
  4. PFC(功率因数校正)电路中的功率开关。
  5. 各种工业控制和家电设备中的功率管理模块。
  由于其高耐压特性和快速开关性能,特别适合于需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

STP80NF06L
  IRFP250N
  FDP17N80
  IXTH10N80T2

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