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MM5Z4V7 发布时间 时间:2025/5/23 4:42:08 查看 阅读:2

MM5Z4V7是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过电压事件的损害。该器件具有低电容、高响应速度和出色的浪涌电流处理能力,适用于高速数据线路和信号接口的保护。
  MM5Z4V7采用小型化封装设计,便于在空间受限的应用中使用,并且能够有效保障系统的稳定性和可靠性。

参数

额定电压:4.3V
  最大反向工作电压:4.8V
  击穿电压:5.0V
  峰值脉冲电流:39A
  箝位电压:12.8V
  结电容:6pF
  响应时间:≤1ps
  漏电流:≤1μA(@VRWM)
  封装形式:SOD-323

特性

MM5Z4V7具备以下主要特性:
  1. 高效的瞬态电压抑制能力,可迅速将过电压箝制在安全范围内。
  2. 极低的电容值(6pF),非常适合高速数据传输线路。
  3. 超快的响应时间(≤1ps),能及时响应瞬态事件。
  4. 稳定的电气性能,能够在较宽的工作温度范围内保持一致性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 小型化封装(SOD-323),节省PCB布局空间。

应用

MM5Z4V7广泛应用于各种需要ESD和过电压保护的场景,包括但不限于:
  1. USB接口保护
  2. HDMI接口保护
  3. 光纤通信设备中的信号线保护
  4. 工业自动化控制中的数据链路保护
  5. 消费类电子产品中的音频/视频接口保护
  6. 移动设备中的射频信号保护
  其卓越的性能使其成为众多高速接口的理想保护选择。

替代型号

PESD5V0X1BAB, SMAJ4.3A, SMF4.3CA

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MM5Z4V7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 2V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523F
  • 供应商设备封装SOD-523F
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称MM5Z4V7DKR