类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：80 V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
　　最大连续漏极电流 (Id)：60 A
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 1.75 mΩ（在 Vgs=10V）
　　功率耗散 (Pd)：134 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：HSON（表面贴装，8 引脚）

LTL81HKGKNN 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率。此外，该 MOSFET 支持高电流承载能力，额定连续漏极电流可达 60A，适用于需要大电流操作的应用场景。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅极电压，便于与各种驱动电路配合使用。LTL81HKGKNN 还具备良好的热稳定性，采用 HSON 封装，具备优异的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　其沟槽栅极结构不仅提升了导通性能，还改善了开关特性，减少开关损耗。LTL81HKGKNN 在高频开关应用中表现出色，适用于高频率 DC-DC 转换器和同步整流器等场景。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。

LTL81HKGKNN 广泛应用于各类高效率功率电子系统。其主要用途之一是作为主开关器件用于 DC-DC 升压或降压转换器，特别是在服务器电源、电信设备电源和工业控制系统中。由于其低导通电阻和高电流能力，它也常用于同步整流器设计，以提高电源转换效率。
　　该 MOSFET 还适用于电池管理系统（BMS），如电动汽车（EV）或储能系统中的充放电控制电路。同时，它也适合用于电机驱动和负载开关电路，实现高效的功率控制。
　　在电源管理模块中，LTL81HKGKNN 可用于构建高效能的电源转换电路，如多相电源、负载共享系统以及热插拔电源管理电路，确保设备在高负载条件下的稳定运行。

SiR810DP-T1-GE3, FDP810N20F2, IPB06N08NM5ATMA1