时间：2025/7/22 8:05:15
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STB5NB80T4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超结（SJ）技术，具有低导通电阻和高开关性能。该器件广泛应用于电源转换系统、工业控制、电机驱动及高效能开关电源等领域。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：800 V
漏极电流（ID）：5 A
导通电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
栅极电荷（Qg）：16 nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220AB
STB5NB80T4采用超结（Super Junction）结构，显著降低了导通电阻并提高了器件的开关性能，从而实现更高的能效。该MOSFET具备低开关损耗特性，使其在高频应用中表现优异，同时减少了热损耗，提高了系统的整体可靠性。
此外，STB5NB80T4具有高雪崩能量耐受能力，确保在瞬态过电压情况下器件的安全运行。其优化的热设计和坚固的封装结构使其适用于高温环境和高功率密度应用。
该器件的栅极驱动要求较低，兼容标准MOSFET驱动电路，简化了设计过程。同时，内置的快速恢复二极管特性使其在反向恢复过程中表现出较低的损耗和较高的稳定性。
STB5NB80T4广泛应用于多种电力电子系统中，包括工业电源、电机控制、照明系统、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及家用电器中的功率控制模块。其高电压和低导通电阻的特性使其成为高效能AC-DC转换器、DC-DC转换器以及功率因数校正（PFC）电路的理想选择。
在工业自动化系统中，该MOSFET可用于驱动继电器、电磁阀及小型电机。同时，其优异的热性能使其适用于紧凑型高密度电源设计，如服务器电源和电信设备电源模块。
STB5NK80ZT4, STF5NM80T, STW5NM80T, STP5NK80Z
