电容值：1 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：50 V
　　介质材料：Class I（C0G或NP0）
　　封装尺寸：1210（公制3225）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　温度系数：0 ppm/°C ±30 ppm/°C

KMG450VB1R0M10X12LL 电容器采用了Class I类型的陶瓷介质，通常是C0G或NP0材料，具有极低的电容变化率，确保在各种工作条件下电容值的稳定性。其容差为±0.5 pF，适合高精度应用。额定电压为50 V，能够满足多种电路设计的需求。
　　封装尺寸为1210（3225 mm），这种尺寸在电路板上占用空间适中，同时具有良好的焊接性能和机械强度。此外，该电容器的工作温度范围宽达-55°C至+125°C，使其能够在极端温度条件下正常工作。
　　该电容器还具有高绝缘电阻，最小为10,000 MΩ，确保在高阻抗电路中的可靠性。其温度系数为0 ppm/°C ±30 ppm/°C，表明电容值随温度变化非常小，适合高精度和高稳定性要求的应用场景。

KMG450VB1R0M10X12LL 多层陶瓷电容器广泛应用于需要高稳定性和精度的电子系统中。典型应用包括射频（RF）电路、滤波器、振荡器、定时电路、传感器接口电路等。此外，它也常用于通信设备、测试仪器、工业控制系统以及高精度模拟电路中。

KMG450VB1R0M10X12LL的替代型号包括TDK的C1210C102K5RACTU、Murata的GRM32ER71H102KA01L和AVX的06035C102KAT2A。这些型号在性能和尺寸方面相似，可以作为替代选择。