制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　产品系列：CL21
　　封装/尺寸：0805（2012 公制）
　　电容：220pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：±15% （-55°C 至 +125°C）
　　电极结构：Ni/Sn（镍/锡阻挡层）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　产品等级：工业级
　　符合标准：RoHS，REACH

CL21C221JBANNND所采用的X7R介质材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，能够在宽温度范围内保持电容值的相对稳定，其电容变化率在-55°C到+125°C之间不超过±15%，非常适合对温度敏感的应用场景。这种介质材料通过掺杂改性的钛酸钡基体实现高介电常数与良好温度稳定性的平衡，使电容器在不同环境条件下仍能维持可靠的电气性能。该器件的0805封装尺寸（2.0mm × 1.25mm × 1.25mm）在空间受限的设计中提供了良好的集成度，同时避免了更小尺寸带来的焊接良率下降问题。其镍/锡电极结构不仅增强了焊接可靠性，还有效防止了银离子迁移现象，提高了长期使用的稳定性。
　　该MLCC经过优化设计，在直流偏压下的电容衰减较小，相较于Y5V等介质类型，X7R在施加接近额定电压时仍能保留较高比例的有效电容，这对于电源去耦和滤波应用尤为重要。此外，CL21C221JBANNND具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在中高频范围内具有优良的阻抗特性，适合作为高速数字电路中的去耦电容使用。产品的制造过程遵循严格的品质管理体系，每批次均进行抽样测试以确保电容值、绝缘电阻、耐压等关键参数符合规格要求。在高湿高温存储试验（如85°C/85%RH）下，该器件表现出出色的耐久性，无明显电容漂移或漏电流增加现象。
　　由于采用自动化叠层工艺和精密印刷技术，CL21C221JBANNND具有高度一致的内部电极对齐和介质厚度控制，从而保证了批次间性能的一致性。这使得它在大批量生产中能够减少筛选成本并提升成品良率。此外，该器件支持无铅回流焊接工艺，峰值温度可达260°C，满足JEDEC J-STD-020标准，适用于现代SMT生产线。其结构设计也具备一定的抗机械应力能力，可在PCB弯曲或热胀冷缩情况下保持连接完整性，降低开裂风险。总体而言，这款电容器结合了小型化、高性能与高可靠性，是许多中高端电子系统中的理想选择。

CL21C221JBANNND广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子电路中。在电源管理单元中，它常被用作IC供电引脚的去耦电容，有效滤除高频噪声并稳定电压，提升系统的抗干扰能力。在模拟信号处理电路中，该电容器可用于滤波网络、RC定时电路以及交流耦合路径，凭借其稳定的电容值和较低的介质损耗，有助于维持信号完整性。在射频和无线通信模块中，尽管不作为主要谐振元件（因其非C0G/NP0材质），但在匹配网络和偏置电路中仍可发挥良好作用。
　　在计算机主板、显卡和内存模块中，CL21C221JBANNND用于局部电源滤波和信号线旁路，帮助抑制开关噪声传播。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备也大量采用此类电容器，用于音频放大器、传感器接口和DC-DC转换器等子系统。工业控制系统和汽车电子中，由于其宽工作温度范围和高可靠性，该器件可用于PLC模块、车载信息娱乐系统和ADAS传感器供电电路。此外，在医疗设备、测试仪器和服务器电源中，CL21C221JBANNND因其长期稳定性而受到青睐，能够在严苛环境中持续运行而不影响系统性能。随着电子产品向小型化和高密度发展，这类高性能MLCC的需求持续增长，成为现代电子设计不可或缺的基础元件。

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　　 "CL21A221JBANNNC",
　　 "CL21B221JBANNNC",
　　 "GRM21BR71H221KA01L",
　　 "C2012X7R1H221K",
　　 "EMK212BJ221KV",
　　 "CC0805JRX7R9BB221"
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