时间：2025/8/16 14:38:21
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CJP80N03是一种N沟道功率MOSFET，通常用于高电流和高频率的开关应用。这款器件具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点，适合用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等领域。CJP80N03的设计使其在高负载条件下依然能够保持稳定的性能，并且具备良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：约3.5mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~2.5V
最大功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等
CJP80N03 MOSFET的一个主要特性是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。该器件能够在高电流下稳定工作，并且具有良好的热管理和散热能力，这使其非常适合用于高功率密度的应用。此外，CJP80N03具备快速开关特性，适用于高频开关电路，从而减少开关损耗并提高响应速度。在可靠性方面，CJP80N03具有较强的抗过载和抗短路能力，确保在严苛环境下依然能够稳定运行。
CJP80N03广泛应用于各种电力电子设备中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及电源开关电路。由于其高电流能力和低导通损耗，CJP80N03也常用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中。此外，它还可以用于汽车电子系统，如电动车辆的电源管理系统和车载充电器。
IRF1404、Si4410BDY、FDP80N03A、NTMFS4C03N
