STB22NM60N 时间：2025/7/22 13:39:10 阅读：5

STB22NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET具有良好的导通特性和较低的导通电阻，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。STB22NM60N采用TO-220AB封装，具备较高的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：600V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）@25°C：18A
　　漏极电流（Id）@100°C：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

STB22NM60N具有低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，适用于高频开关应用，能够有效减少开关损耗。MOSFET的漏极和源极之间具有较高的击穿电压（600V），能够在高电压环境下稳定工作。
　　此外，STB22NM60N具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持正常工作，适用于需要长时间运行的工业设备和电源系统。其TO-220AB封装形式不仅便于安装，还能提供良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定性。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在突发的高电压或电流冲击下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。

应用

STB22NM60N常用于开关电源（SMPS）中作为主开关器件，以提高电源转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高频开关，实现高效的电压调节。在电机控制应用中，STB22NM60N可用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流控制。
　　此外，该器件也适用于负载开关电路，用于控制高功率负载的通断。STB22NM60N还可用于逆变器、UPS（不间断电源）系统以及LED照明驱动电路中。在工业自动化和电力电子设备中，该MOSFET也广泛用于功率控制和保护电路。