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STB22NM60N 发布时间 时间:2025/7/22 13:39:10 查看 阅读:4

STB22NM60N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET具有良好的导通特性和较低的导通电阻,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。STB22NM60N采用TO-220AB封装,具备较高的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):600V
  栅极-源极电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id)@25°C:18A
  漏极电流(Id)@100°C:12A
  导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

STB22NM60N具有低导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。该器件的栅极电荷(Qg)较低,适用于高频开关应用,能够有效减少开关损耗。MOSFET的漏极和源极之间具有较高的击穿电压(600V),能够在高电压环境下稳定工作。
  此外,STB22NM60N具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持正常工作,适用于需要长时间运行的工业设备和电源系统。其TO-220AB封装形式不仅便于安装,还能提供良好的散热性能,确保在高负载条件下的稳定性。
  该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力,能够在突发的高电压或电流冲击下保持稳定运行,提高了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计。

应用

STB22NM60N常用于开关电源(SMPS)中作为主开关器件,以提高电源转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为高频开关,实现高效的电压调节。在电机控制应用中,STB22NM60N可用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的电流控制。
  此外,该器件也适用于负载开关电路,用于控制高功率负载的通断。STB22NM60N还可用于逆变器、UPS(不间断电源)系统以及LED照明驱动电路中。在工业自动化和电力电子设备中,该MOSFET也广泛用于功率控制和保护电路。

替代型号

STP16NF60FP, IRFBC40, FQA20N60

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STB22NM60N参数

  • 其它有关文件STB22NM60N View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 50V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10298-6