STB22NM60N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET具有良好的导通特性和较低的导通电阻,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。STB22NM60N采用TO-220AB封装,具备较高的热稳定性和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):600V
栅极-源极电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id)@25°C:18A
漏极电流(Id)@100°C:12A
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-220AB
STB22NM60N具有低导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。该器件的栅极电荷(Qg)较低,适用于高频开关应用,能够有效减少开关损耗。MOSFET的漏极和源极之间具有较高的击穿电压(600V),能够在高电压环境下稳定工作。
此外,STB22NM60N具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持正常工作,适用于需要长时间运行的工业设备和电源系统。其TO-220AB封装形式不仅便于安装,还能提供良好的散热性能,确保在高负载条件下的稳定性。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力,能够在突发的高电压或电流冲击下保持稳定运行,提高了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计。
STB22NM60N常用于开关电源(SMPS)中作为主开关器件,以提高电源转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为高频开关,实现高效的电压调节。在电机控制应用中,STB22NM60N可用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的电流控制。
此外,该器件也适用于负载开关电路,用于控制高功率负载的通断。STB22NM60N还可用于逆变器、UPS(不间断电源)系统以及LED照明驱动电路中。在工业自动化和电力电子设备中,该MOSFET也广泛用于功率控制和保护电路。
STP16NF60FP, IRFBC40, FQA20N60