B5817 时间：2025/8/17 2:35:29 阅读：29

B5817是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率开关和低电压控制应用。该器件采用TO-92封装，具备较高的开关速度和较低的导通电阻，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场合。B5817广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：约5Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

特性

B5817 MOSFET具有多项优良特性，适用于多种电子电路设计。首先，其低导通电阻确保在导通状态下，漏源之间的电压降较小，从而降低功耗，提高系统效率。其次，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较高温度环境下稳定工作。此外，B5817的开关速度快，响应时间短，适合高频开关应用。其TO-92封装形式便于手工焊接和插件安装，适用于原型设计和小批量生产。
　　B5817的栅极驱动电压范围较宽，通常可在2.5V至10V之间正常工作，因此可以与多种控制器或微处理器直接连接，无需额外的电平转换器。此外，该器件具备良好的抗静电能力，能够承受一定程度的静电冲击，提升在实际应用中的稳定性。
　　由于B5817的功耗较低，散热要求不高，适合用于空间受限的电路板设计。同时，该MOSFET具有良好的线性工作区，适用于模拟开关和信号控制应用。

应用

B5817广泛应用于各种电子设备中，如便携式电子产品、电源管理系统、LED驱动电路、电机控制模块和传感器接口电路。在消费电子领域，该器件可用于电池供电设备的电源开关，实现高效节能。在工业自动化中，B5817可用于继电器替代方案，提高系统响应速度并减少机械磨损。此外，该MOSFET也适用于低功率DC-DC转换器和负载开关控制，确保系统在不同工作模式下稳定运行。