S21MD8T 时间：2025/8/28 3:56:41 阅读：3

S21MD8T 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管。该器件主要用于需要高效率、高频开关特性的电源转换系统，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及功率因数校正（PFC）电路。S21MD8T 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性，适用于高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　导通电阻(Rds(on))：最大12.8mΩ @ Vgs=10V
　　最大功率耗散(Pd)：3.5W

特性

S21MD8T 的核心优势在于其低导通电阻和高效的热管理能力，这使其在高负载应用中表现尤为出色。其 Rds(on) 在 10V 栅极驱动电压下仅为 12.8mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通和开关性能之间的平衡。此外，S21MD8T 使用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的散热性能，适用于空间受限的设计。其高电流承载能力和高可靠性也使其适合汽车电子和工业控制等严苛环境。
　　该 MOSFET 支持高达 8A 的连续漏极电流，并具有出色的抗雪崩能力和热稳定性，可有效防止过热损坏。S21MD8T 还具备快速开关特性，适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流电路，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。此外，其 ±12V 的栅源电压容限允许在各种控制电路中灵活使用，提高了设计的兼容性。

应用

S21MD8T 主要用于电源管理领域，包括但不限于以下应用场景：在 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流器使用；在负载开关电路中控制电源的通断；在电池管理系统（BMS）中用于电池充放电控制；在电机驱动器和功率放大器中作为输出开关元件；在 LED 照明驱动器和电源适配器中用于提高能效和减小体积。此外，由于其优异的热性能和可靠性，S21MD8T 也广泛应用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中。