SSP7N18 时间：2025/8/25 5:44:02 阅读：5

SSP7N18 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及汽车电子系统等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：800V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：7A（在 Tc=25°C）
　　功耗（Ptot）：125W
　　导通电阻 Rds(on)：最大 1.8Ω（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247 等

特性

SSP7N18 具备出色的导通和开关性能，其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（800V）使其非常适合用于高电压应用场景，例如功率因数校正（PFC）电路和高压电源系统。
　　此外，SSP7N18 在设计上优化了热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行，同时减少过热风险。其封装形式（如 TO-220 或 TO-247）便于散热器安装，进一步提升了热性能。
　　该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，可在 10V 栅极电压下实现充分导通，适用于常见的驱动电路。同时，其抗雪崩能力和高耐用性也使其在恶劣工作环境下具备良好的可靠性。

应用

SSP7N18 主要用于需要高压和中等电流处理能力的功率电子设备中，常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器以及工业控制系统。此外，它也广泛应用于汽车电子中的高压电路，如电动车的车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）。该器件的高可靠性和热稳定性也使其适用于需要长时间运行的工业和通信设备。