类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　沟道类型：N 通道
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：15A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　

IXTH15P20 是一款专为高效率功率转换设计的 MOSFET，具有多个关键特性以满足现代电源管理系统的需求。首先，其漏源电压高达 200V，能够在高压环境下稳定工作，适用于各种工业电源和电机控制应用。其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）仅为 0.22Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，从而提高了整体系统的能效。
　　此外，IXTH15P20 支持高达 15A 的连续漏极电流，使其适用于高功率密度应用。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，其最大功耗为 160W，并且能够在高达 175°C 的结温下工作，这使其在高温环境中依然保持良好的性能。该器件的栅极阈值电压为 4V，适合与多种驱动电路兼容，包括常见的 5V 和 10V 驱动电源。
　　为了提高可靠性，IXTH15P20 采用了先进的硅技术，增强了器件的耐用性和抗冲击能力。其 TO-220 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在标准的散热片上，进一步提升了热管理能力。这些特性使 IXTH15P20 成为工业控制、电源供应器、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机驱动器等应用的理想选择。

IXTH15P20 被广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。其高压和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换场合。

IRF150, STP15N20, FDP15N20