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STP19NB20 发布时间 时间:2025/7/22 9:20:26 查看 阅读:5

STP19NB20 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适用于高电流、高电压开关应用。该器件设计用于高效能功率转换系统,如电源、电机控制和DC-DC转换器等。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):200V
  漏极电流(Id):19A
  导通电阻(Rds(on)):0.17Ω(最大)
  栅极电荷(Qg):48nC
  功率耗散(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

STP19NB20具备低导通电阻和高电流承载能力,能够在高频条件下稳定工作,具有较低的开关损耗和导通损耗。其结构设计优化了热性能,有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。此外,该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过载保护能力,适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
  该器件的栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V至15V驱动电压,便于与多种驱动电路兼容。其TO-220AB封装具备良好的散热性能,适用于需要高效散热的高功率应用。STP19NB20还具备较低的漏极-源极电容(Coss),有助于提高高频开关效率,减少能量损耗。

应用

STP19NB20广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、马达驱动器、电池充电器、逆变器、照明系统以及汽车电子系统。在电机控制和工业自动化设备中,该器件可提供高效、可靠的功率开关功能。此外,它也适用于太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统,确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。

替代型号

IRFZ44N, FDP19N20, STP20N20

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STP19NB20参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 9.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-2650-5