STP19NB20 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适用于高电流、高电压开关应用。该器件设计用于高效能功率转换系统,如电源、电机控制和DC-DC转换器等。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):200V
漏极电流(Id):19A
导通电阻(Rds(on)):0.17Ω(最大)
栅极电荷(Qg):48nC
功率耗散(Ptot):125W
工作温度范围:-55°C至150°C
STP19NB20具备低导通电阻和高电流承载能力,能够在高频条件下稳定工作,具有较低的开关损耗和导通损耗。其结构设计优化了热性能,有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。此外,该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过载保护能力,适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
该器件的栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V至15V驱动电压,便于与多种驱动电路兼容。其TO-220AB封装具备良好的散热性能,适用于需要高效散热的高功率应用。STP19NB20还具备较低的漏极-源极电容(Coss),有助于提高高频开关效率,减少能量损耗。
STP19NB20广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、马达驱动器、电池充电器、逆变器、照明系统以及汽车电子系统。在电机控制和工业自动化设备中,该器件可提供高效、可靠的功率开关功能。此外,它也适用于太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统,确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。
IRFZ44N, FDP19N20, STP20N20