时间：2025/7/22 9:20:26
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STP19NB20 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适用于高电流、高电压开关应用。该器件设计用于高效能功率转换系统，如电源、电机控制和DC-DC转换器等。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
漏极电流（Id）：19A
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：48nC
功率耗散（Ptot）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
STP19NB20具备低导通电阻和高电流承载能力，能够在高频条件下稳定工作，具有较低的开关损耗和导通损耗。其结构设计优化了热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过载保护能力，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
该器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。其TO-220AB封装具备良好的散热性能，适用于需要高效散热的高功率应用。STP19NB20还具备较低的漏极-源极电容（Coss），有助于提高高频开关效率，减少能量损耗。
STP19NB20广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池充电器、逆变器、照明系统以及汽车电子系统。在电机控制和工业自动化设备中，该器件可提供高效、可靠的功率开关功能。此外，它也适用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统，确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。
IRFZ44N, FDP19N20, STP20N20
