M2301ENE-LF-Z 时间：2025/8/20 4:59:19 阅读：20

M2301ENE-LF-Z是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压和中等功率的开关电路中。该器件采用TSON（Thin Small Outline No-lead）封装，具备优异的热性能和电气性能。M2301ENE-LF-Z符合RoHS标准，不含卤素，符合环保要求，适用于消费类电子产品、工业控制、电源管理等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSON
　　安装类型：表面贴装

特性

M2301ENE-LF-Z具备多项优异特性，适用于高效率和低功耗的设计需求。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。由于其Vds额定值为20V，适合用于低电压电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。该器件的栅极驱动电压范围适中，支持4.5V至12V的栅极驱动电压，兼容多种标准逻辑电平的控制电路，如MCU和PWM控制器。
　　此外，M2301ENE-LF-Z采用TSON封装，具有较小的封装尺寸，有助于节省PCB空间，同时具备良好的散热性能，确保在高电流工作条件下保持稳定运行。该器件还具备良好的抗静电性能和热稳定性，提高了其在工业和消费类电子产品中的可靠性。其无铅和符合RoHS指令的设计也满足了现代电子产品对环保材料的严格要求。

应用

M2301ENE-LF-Z适用于多种低电压功率控制场景。常见应用包括电源管理系统中的负载开关、电池供电设备中的功率控制、DC-DC转换器中的同步整流器、电机驱动电路以及各类便携式电子设备中的功率MOSFET开关。由于其高效率和小尺寸封装，特别适合空间受限且对能效有较高要求的应用场景。在工业自动化设备、通信模块和智能家电中，M2301ENE-LF-Z也可作为关键的功率开关元件，实现高效的电能管理与控制。