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IS42S81600E-7TLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:59:21 查看 阅读:8

IS42S81600E-7TLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于高速同步动态RAM(Synchronous Dynamic RAM)系列。该器件主要用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及消费类电子产品。这款DRAM芯片采用CMOS工艺制造,具备高性能和低功耗的特点。

参数

容量:1M x 16
  组织结构:1M地址,每个地址16位
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:7ns(最大)
  封装类型:54引脚TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:54-TSOP
  时钟频率:143MHz(最大)

特性

IS42S81600E-7TLI 具有多种显著特性,使其在多种应用中表现优异。首先,该DRAM芯片采用了同步设计,允许与高速时钟同步操作,从而提升系统性能和数据传输效率。其7ns的访问时间确保了在高频环境下依然能够快速响应数据请求,非常适合需要高速缓存和大容量存储的应用场景。
  其次,该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有效降低了功耗,延长了电池寿命,非常适合用于便携式设备和嵌入式系统。此外,IS42S81600E-7TLI 的电源电压范围较宽(2.3V 至 3.6V),使其能够兼容多种供电环境,增加了设计的灵活性。
  在封装方面,IS42S81600E-7TLI 采用54引脚TSOP封装,具有较小的体积,便于在空间受限的设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够适应工业级环境的严苛条件,适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品。
  该芯片还支持突发模式(Burst Mode),允许在一次访问中连续读取或写入多个数据,从而提高数据吞吐量。此外,其CMOS工艺制造确保了低功耗运行,同时保持了较高的噪声抗干扰能力。

应用

IS42S81600E-7TLI 适用于多种高性能存储需求的应用场景。首先,在嵌入式系统中,该DRAM芯片可以作为主存储器,提供快速的数据存取能力,以支持复杂的数据处理任务。例如,在嵌入式控制器、工业自动化设备以及智能仪表中,该芯片能够提供可靠的存储支持。
  其次,IS42S81600E-7TLI 也广泛应用于网络设备,如路由器、交换机和无线基站。这些设备需要高速缓存来存储临时数据和转发信息,而该DRAM芯片的高速访问能力和低延迟特性使其成为理想选择。
  此外,该芯片还可用于消费类电子产品,如数字电视、视频播放器和游戏设备。在这些设备中,DRAM芯片用于存储临时图像数据、缓存程序代码以及运行应用程序,从而提升整体系统性能和用户体验。
  对于需要长期运行和高可靠性的工业设备,IS42S81600E-7TLI 的宽温工作范围和低功耗特性使其适用于恶劣的工业环境,如工厂自动化控制系统、测试仪器和数据采集设备。

替代型号

IS42S81600F-7TLLI, CY7C1380C-133AXC, IS42S86400E-7TLI

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IS42S81600E-7TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装 / 箱体TSSOP-54
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流130 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108