时间：2025/8/25 2:11:14
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SSP21N06 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于如电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用场景。SSP21N06 采用 TO-220 或 D2PAK 等封装形式，具备良好的热性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：21A
导通电阻（Rds(on)）：约 0.045Ω（典型值）
功耗（Ptot）：约 60W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220 / D2PAK
SSP21N06 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的高耐压能力（60V）使其适用于多种中低压电源转换应用。此外，SSP21N06 能够承受高达 21A 的连续漏极电流，适合需要高电流输出的场景。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其 ±20V 的栅源电压耐受能力提高了在开关过程中的可靠性，避免因电压尖峰导致的损坏。TO-220 或 D2PAK 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率应用中仍能保持较低的工作温度。
SSP21N06 广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见用途包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、马达驱动电路以及工业自动化控制系统。其高效能和高可靠性的特点使其成为电源设计中常用的功率开关器件。
IRFZ44N, STP20NF06, FDP21N06, IPP21N06N3G
