NCE80H11D 时间：2025/6/20 14:15:07 阅读：4

NCE80H11D是一款基于CMOS工艺制造的高压MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。这款器件采用了先进的封装技术，能够提供卓越的电气性能和可靠性，同时具备较低的导通电阻和快速的开关速度，从而实现高效率的能量转换和控制。

参数

类型：MOSFET
　　极性：N-Channel
　　漏源电压(Vds)：80V
　　连续漏电流(Id)：11A
　　栅极电荷(Qg)：27nC
　　导通电阻(Rds(on))：55mΩ
　　开关时间：ton=20ns, toff=15ns
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃
　　封装形式：TO-220

特性

NCE80H11D具有较低的导通电阻Rds(on)，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　其快速的开关速度使其非常适合高频应用，例如开关电源和DC-DC转换器。
　　该器件在高温环境下依然表现出良好的稳定性和可靠性，适合工业级或汽车级应用。
　　采用标准的TO-220封装，便于安装和散热设计，同时提供了出色的热性能。

应用

NCE80H11D广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
　　2. 各类DC-DC转换器中用于高效能量转换。
　　3. 电机驱动电路中作为功率驱动开关。
　　4. 工业自动化设备中的负载控制模块。
　　5. 汽车电子系统中的电源管理和保护电路。
　　由于其优异的性能和可靠性，这款MOSFET也适用于要求严格的航空航天和军工领域。