SSF4N90AS 时间：2025/8/25 5:55:30 阅读：8

SSF4N90AS 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的热性能，适用于各种功率转换和控制应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4A（@25°C）
　　功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大值，@Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：43nC
　　封装形式：TO-220

特性

SSF4N90AS 具备多项关键特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其高达 900V 的漏源电压能力使其适用于高压电源转换系统，如开关电源、逆变器和马达驱动器。该器件的低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，从而提高了整体效率并降低了热耗散。
　　其次，SSF4N90AS 采用了先进的平面条形沟槽栅技术，这不仅提高了器件的稳定性和耐用性，还增强了其在高温环境下的性能表现。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，能够应对突发的电压过载情况，提升了系统的可靠性和安全性。
　　最后，SSF4N90AS 提供了良好的栅极驱动兼容性，支持常见的驱动电路设计，简化了系统集成。其 TO-220 封装形式具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。

应用

SSF4N90AS 主要应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、马达控制电路、照明系统（如 HID 和 LED 驱动器）、逆变器以及工业自动化控制系统。
　　由于其高耐压能力和低导通损耗，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的场合，例如新能源设备（如太阳能逆变器）和工业变频器等。在这些应用中，SSF4N90AS 能够有效降低能量损耗，提高整体系统的效率，并延长设备的使用寿命。