时间：2025/6/21 18:12:53
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FN15N2R0C500PNG是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3.3x3.3-8封装形式。该器件适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其低导通电阻和高效率特性使其成为便携式电子设备的理想选择。
FN15N2R0C500PNG的设计目标是提供卓越的热性能和电气性能，同时保持小型化的封装尺寸，以满足现代电子产品对空间和能效的严格要求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：2mΩ
栅极电荷：47nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：PDFN3.3x3.3-8
FN15N2R0C500PNG具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，能够降低开关损耗。
3. 高电流承载能力，确保在大电流应用中的稳定运行。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间。
5. 优异的热性能，能够在高温环境下可靠工作。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理与保护电路
4. 电机驱动
5. 负载开关
6. 工业自动化控制
由于其高效和紧凑的设计，FN15N2R0C500PNG特别适合于移动设备、笔记本电脑适配器以及汽车电子系统等领域。
IRF2807,
STP15NF06,
FDP15N6,
IXTH15N06P
