类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：1000V
　　漏极电流(ID)：6A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：约1.5Ω（典型值）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V~4V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

RM6N100S4是一款高性能的N沟道MOSFET，具备高达1000V的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和功率转换系统。其导通电阻约为1.5Ω，较低的RDS(on)有助于减少导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的栅极阈值电压在2V到4V之间，意味着它可以在较低的驱动电压下工作，兼容多种控制IC的输出能力。
　　此外，RM6N100S4具有良好的热稳定性和过热保护性能，能够在高温环境下稳定运行。其TO-220封装提供了优良的散热能力，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这种封装形式也便于安装和散热片的连接，适合需要高效散热的应用场景。
　　RM6N100S4的开关特性也非常出色，具备较快的开关速度，能够减少开关损耗并提高系统的响应速度。这使得它非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用。同时，该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬时的电压冲击，提升系统的可靠性和耐用性。
　　在实际应用中，RM6N100S4常用于各种高压电源管理电路中，如开关电源（SMPS）、LED驱动器、工业自动化控制系统以及电力电子设备中的功率开关。其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力使其成为一款性价比较高的功率MOSFET。

RM6N100S4广泛应用于多种高压功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机驱动器以及工业自动化控制系统。该MOSFET也可用于逆变器、UPS（不间断电源）和电力电子变换器等设备，作为主要的功率开关元件。

STP6NK100Z, FQA6N100, IRF830