类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30 V
　　最大直流阻断电压（VR）：30 V
　　最大平均整流电流（IO）：200 mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500 mA
　　最大正向电压（VF）：450 mV @ 10 mA，600 mV @ 100 mA
　　最大反向漏电流（IR）：100 μA @ 30 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 1 ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

UMD08B的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属与N型半导体之间的接触形成势垒，从而显著降低正向导通电压。相较于传统硅PN结二极管通常0.7V以上的正向压降，UMD08B在10mA电流下的典型正向压降仅为450mV，在100mA时也仅600mV左右，这意味着在相同工作条件下能够大幅减少功率损耗，提升整体能效。这一特性特别适用于电池供电设备，如智能手机、可穿戴设备和无线传感器节点，有助于延长续航时间。此外，由于其正向压降低，发热也相应减少，有利于简化热管理设计。
　　该器件具备极快的反向恢复时间，典型值仅为1ns，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中表现出色，例如在开关电源中的续流或箝位电路、高频整流以及信号解调等场景下可有效减少开关噪声和电磁干扰。两个独立的二极管单元允许灵活配置，可用于双路信号处理或构建简单的电压倍增器电路。共阴极连接方式使其特别适合用于双通道正向整流或OR-ing电路设计。
　　UMD08B的SOT-23封装不仅体积小（约2.8mm x 1.9mm x 1.1mm），而且引脚间距为0.95mm，兼容标准贴片工艺，适合波峰焊和回流焊。器件具有良好的热性能，结到环境的热阻约为450°C/W，确保在有限散热条件下仍能稳定运行。其工作结温范围宽达-65°C至+150°C，适用于严苛环境下的工业控制和汽车电子应用。此外，产品经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，保证长期使用的稳定性与一致性。

UMD08B因其低正向压降和快速响应特性，广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域，常用于低压DC-DC转换器中的同步整流辅助电路、LDO输出端的反向保护以及电池充电路径中的隔离二极管。在便携式电子产品中，该器件被用作防止电池反接或备用电源切换时的防倒灌二极管，有效保护主电源系统。在通信接口电路中，UMD08B可用于USB、I2C、SPI等信号线的静电放电（ESD）防护和电平箝位，防止瞬态过压损坏敏感逻辑器件。
　　在射频和高频信号处理电路中，该二极管可用作包络检波器或峰值检测器，得益于其快速响应能力，能够准确还原高频调制信号。此外，在开关模式电源（SMPS）中，UMD08B可作为副边整流二极管或自举电路中的快速放电通路，提升系统动态响应。在汽车电子中，它可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的电源轨保护和信号调理电路。由于其小型化封装和高可靠性，也适合用于空间受限的物联网终端设备和工业传感器节点的设计中。

BAT54S, RB751S40, PMDU1, MMBD914