时间：2025/5/12 8:35:43
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FNA51060T3 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高电流和高频开关应用。它采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速的开关速度，从而减少功率损耗并提高系统效率。
该器件主要面向工业、汽车和消费类电子领域，能够在宽泛的工作条件下稳定运行，并具有良好的热性能。
型号：FNA51060T3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：120A
Ptot（总功耗）：270W
f（工作频率）：高达 1MHz
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FNA51060T3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用，适合现代高效电源转换需求。
3. 高电流处理能力（120A 连续漏极电流），确保在高负载条件下稳定运行。
4. 优异的热稳定性，具备较高的结温范围（-55℃ 至 +175℃）。
5. 强大的雪崩能量承受能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
FNA51060T3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 电动机驱动电路中的功率控制模块。
3. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
6. 工业自动化设备中的功率调节和管理。
其高性能和可靠性使其成为这些应用的理想选择。
FCH068N60F, IRF640, STP120N60E
