晶体管类型：PNP
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流：100mA（Ic）
　　最大集电极-发射极电压：25V（Vceo）
　　最大集电极-基极电压：30V（Vcbo）
　　最大基极电流：5mA（Ib）
　　最大功耗：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：根据后缀不同，典型值在110至800之间
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

SS8550LT1晶体管具有良好的稳定性和可靠性，适用于多种通用放大和开关应用。其SOT-23封装不仅减小了PCB空间占用，还提升了热性能和机械强度。
　　该晶体管的电流增益（hFE）因后缀不同而有所变化，能够满足不同设计需求，提供灵活性和高性能。此外，SS8550LT1的100MHz增益带宽积使其适用于中高频放大电路。
　　该器件具有较低的饱和电压（VCE(sat)），确保在开关模式下具有较高的效率和较低的功耗。同时，其最大集电极电流为100mA，能够支持大多数低功耗应用。
　　SS8550LT1还具备较强的抗干扰能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级和消费类电子设备使用。

SS8550LT1-SOT-23常用于各类电子设备中的小信号放大器设计，例如音频放大器、传感器信号调理电路等。其高增益特性也使其适合用于前级放大电路。
　　在数字电路中，该晶体管通常用作开关元件，用于驱动LED、继电器、小型电机等负载。由于其低饱和电压特性，可以在开关过程中减少能量损耗，提高整体效率。
　　此外，SS8550LT1还可用于电压调节电路、电平转换电路以及电池供电设备中的低功耗控制电路。由于其封装小巧，广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。

2N3906, BC807, PN2907